Soutenance de doctorat d’Emmanuel Bourgon : Laser à semiconducteurs dans une cavité à cristal photonique par intégration hybride
Jeudi 25 juin à 10h (heure de Paris) au III-V Lab
Auditorium du III-V Lab, 1 Av. Augustin Fresnel, F-91120 Palaiseau et en visioconférence
Titre intégral : Laser à semiconducteurs dans une cavité à cristal photonique par intégration hybride : étude des régimes de verrouillage de mode
Jury
- Henri Benisty, LCF (Rapporteur)
- Olivier Gauthier-Lafaye, LAAS (Rapporteur)
- Sophie Bouchoule, C2N (Examinatrice)
- Christophe Peucheret, FOTON (Examinateur)
- Frédéric Grillot, Telecom Paris (Directeur de thèse)
- Alexandre Shen, III-V Lab (Co-encadrant de thèse)
- Alfredo de Rossi, Thales Research and Technology (Invité)
Résumé
Cette thèse étudie une nouvelle architecture de laser hybride III-V sur silicium à verrouillage de modes basée sur une cavité à cristal photonique (PhC) sans absorbant saturable.
Les lasers à verrouillage de modes sont au coeur de nombreuses applications: telecom (transmetteurs WDM à haut débit), radiofréquences (oscillateurs RF stable), etc.
En savoir plus
Si de telles sources sont depuis longtemps intégrées sur la plateforme InP monolithique, leur intégration sur la plateforme III-V sur Silicium est plus récente, et moins maîtrisée.
Dans cette thèse, nous étudions une architecture de laser rendue compacte grâce à l’intégration verticale III-V/Si, et grâce aux propriétés du résonateur PhC découplant le FSR de la taille de la cavité.
D’abord, les propriétés modales uniques de ces cavités sont étudiées. Puis, nous étudions expérimentalement et théoriquement une première génération de ces composants.
Le verrouillage de modes est démontré et confirmé par les simulations. Ensuite, nous considérons leur utilisation pour des applications radiofréquences et telecom.
Finalement, dans une dernière partie, nous nous intéressons à l’intégration avec les matériaux à boîtes quantiques.